全球第三代半导体材料相关支持措施纵览

    第三代半导体材料，又称宽禁带半导体材料(Eg>2.3eV)，主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为主。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的热导率和击穿电场、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，在电力电子、微波射频和光电子三大领域有着广阔的应用前景。随着SiC和GaN器件制作工艺的逐步成熟和生产成本的降低，它们正在凭借其优良的性能逐步进入传统Si基半导体市场，并打破Si基由于材料本身性能所遇到的瓶颈，从而引领一轮新的产业革命。

    马克思说“科学技术是第一生产力”，习总书记强调“把核心技术掌握在自己手中”。第三代半导体的研发和应用已成为全球瞩目的焦点，我们只有掌握了核心技术，才可以抢占发展先机，真正成为照明强国。知己知彼，百战不殆。小编在研习国（guang）家（tao）大（bao）事之余，梳理了一下美、日、欧、韩等国的政策布局，一起看看地球上的其他小伙伴是如何积极进行战略部署抢占全球战略竞争制高点的。（前方高能，备好笔记本，大批“干货”来袭）

    20世纪以来，发达国家就不断创新组织模式，加大对第三代半导体材料及应用的研发投入，加快产业化部署，纷纷通过国家级创新中心、协同创新中心、产业联盟等形式，将企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起，通过协同组织，共同投入，实现第三代半导体技术的加速进步，引领、加速并抢占全球第三代半导体市场。

    1、早期各国对固态照明（包括LED和OLED）的关注和支持更多，随着固态照明技术的快速进步和产业的逐渐成熟，政府在面向电力电子和微波射频的技术研发与应用方面支持力度加大。

    2、国防和空天等军事需求，大大推动了第三代半导体材料的技术进步和产业应用。

    3、在持续支持技术攻关外，美国、欧盟的政策逐渐逐步转向支持市场应用和推广，加快产品商业化进程。

    4、政府积极配合，并大力支持欧、美、日企业开展全球化资源竞争和市场抢夺。